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InGaAs单光子雪崩光电二极管

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筱晓(上海)光子技术有限公司

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1873

产品介绍

MP5522型系列盖革模式InGaAs 单光子雪崩光电二极管

2 产品特性The features

专为单光子探测应用设计,盖革模式工作

响应光谱范围1000nm-1650nm

2 应用领域Applications

量子通信

时间相关单光子计数

光时域反射计

3D 成像

激光测距

DNA测序

光学相干层析

荧光检测及其光谱分析

光电性能The opto-eletronic characteristics

静态参数(@Tc=22±3℃)

特性参数Parameters

符号

Sym.

测试条件Test conditions

*小Min

典型Typ

**

Max

单位

Unit

光谱响应范围

Response Spectrum

λ

—

1000~1650

nm

响应度

Reponsivity

Re

λ=1.55μm,VR=VBR-2V,φe=1μw

10

14

A/W

反向击穿电压

Reverse breakdown voltage

VBR

ID=10mA,Tc=22℃

65

75

V

工作电压温度系数

Operating voltagetemperature coefficient

γ

Tc=-60~+30℃,ID=10mA

0.1

V/℃

暗电流

Dark current

ID

φe=0μw,VR=VBR-2V

3.0

nA

结电容

Total capacitance

Ctot

1MHz,VR=VBR-2V

0.2

pF

盖革模式下性能参数

参数

Parameter

测试条件

Test conditions

MP5512Y/MP5522Y

MP5513Y/MP5523Y

单位

Unit

*小值 Min

**值 Max

*小值 Min

**值 Max

暗计数率(DCR)

fgate=50kHz,Tgate=10ns,SPDE=10%

10

3

kHz

单光子探测效率(SPDE)

fgate=fpulse=50kHz,Tgate=10ns, DCR=10kHz,λ=1.55μm,

0.1 photon per pulse

10

20

%

后脉冲概率(APP)

@2us, fpulse=50kHz, Tgate=10ns, SPDE=10%, λ=1.55μm,

0.1 photon per pulse

2

2

%

测试条件补充说明:

1 MP5512Y/MP5522Y测试温度为TA= -35℃,MP5513Y/MP5523Y测温度为TA= -43℃

2过偏压Vob范围:1.0~2.0V

3直流工作电压Vdc范围:(Vbr-1V)~(Vbr-2V)

以上数据仅供参考,用户需要根据实际的应用来选择适合的工作条件。

2 **额定值Maximum ratings

参数

条件

*小值

**值

单位

正向电流

Forward current

连续方式

1

mA

正向电压

Forward voltage

连续方式

1

V

反向电流

Reverse current

连续方式

1

mA

反向电压

Reverse voltage

连续方式

Vbr+5

V

脉冲方式

Vbr+10

入射光功率Optical Power

连续方式

(CW)

1

mW

贮存温度

storagetemperature

-55

85

℃

2 典型特性曲线The typical characteristical curve

Fig. 1 DCR and APP vs Tempearture of the MP5522Y/MP5512Y when PDE=10%

图1 MP5522Y/MP5512Y PDE=10%时,温度对暗计数率和后脉冲概率的影响

Fig.2 Photocurrent and dark current vs reverse voltages of the MP5522Y/MP5512Y

图2 MP5522Y/MP5512Y光电流-暗电流曲线

2 封装外形及尺寸The package

1. MP5512Y/MP5513Y

2. MP5522Y/MP5523Y

2 引脚定义

管脚

符号

功能定义

1

P

P(anode)

2

G

Case Ground

3

N

N (cathode)

2 注意事项The cautions

— 该器件需要温度反馈工作电压控制

This device needs feedback of voltage temperature when operating.

— 贮运、使用注意静电保护措施

The suitable ESD protecting mersures are recommended in storage, transporting and using.

— 光纤弯曲半径不小于20mm

The fiber bending radius no less than 20mm for avoiding fiber damaged.

— 使用前保证光纤连接处洁净

Be sure the fiber coupling facet is clean before connecting it to opto-circuit.

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InGaAs单光子雪崩光电二极管

筱晓(上海)光子技术有限公司

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