技术参数：

产品参数

类型 振幅调制器

EO-AM-NR 相位调制器

EO-PM-NR

晶体 铌酸锂(LiNbO3)

波长

C1 600 - 900 nm 600 - 900 nm

C2 900 - 1250 nm 900 - 1250 nm

C3 1250 - 1650 nm 1250 - 1650 nm

C4 400- 600 nm 400 - 600 nm

孔径 2 mm 2 mm

输入接口 SMA Female SMA Female

半波电压， Vπ 360 V @1064 nm(Typical) 240 V @ 1064 nm(Typical)

**功率密度 2 W/mm2 @ 532 nm，

4 W/mm2 @ 1064 nm 2 W/mm2 @ 532 nm，

4 W/mm2 @ 1064 nm

主要特点：

产品特性：

振幅调制和相位调制

高性能、结构紧凑精巧

宽带DC耦合

2mm输入孔径

SMA输入接口

DC-100MHz带宽