日本 TOWA 東和高機能材，放熱基板，AlN 氮化铝基板，高导热陶瓷基板，功率模块绝缘基板，SiC/GaN 器件封装基板，5G 通信模块基板

产品介绍

日本 TOWA 東和高機能材氮化铝（AlN）散热基板，属于高导热绝缘先进陶瓷基板，实现 170‑270W/m・K 多档位热导率，第三方机构取得 276W/m・K 的实测热导率数据。基板可做到表面粗糙度 Ra0.2μm 以下（MIN可达 0.05μm），介电率低至 8.2 以下，兼顾高散热、绝缘、低介电特性。可搭配表面金属化、DPC 工艺，用于第三代半导体功率器件等高要求封装场景，抑制器件温升，延长设备寿命、提升输出功率与可靠性。

产品特点

1. 多档热导率可选：170、200、230、250、270W/m・K，第三方检测MAX实测 276W/m・K

2. 超平滑基板表面：表面粗糙度 Ra0.2μm 以下，MIN 0.05μm，利于薄膜、金属化线路制作

3. 介电率低至 8.2 以下，降低高频信号损耗，适配 5G、高频通信设备

4. 高机械强度，抗弯、抗断裂性能优异，严苛应力工况下可靠性高

5. 可与表面金属化、DPC 制程组合，支持高密度封装、高散热功率模块设计

6. 有效抑制器件工作温升，实现器件长寿命、高可靠性、高出力化

技术规格

• 品牌：TOWA 東和高機能材（日本）

• 产品名称：放熱基板 / AlN 氮化铝散热基板

• 基材：氮化铝 AlN 陶瓷

• 热导率系列：170、200、230、250、270 W/m・K，实测MAX 276W/m・K

• 表面粗糙度：Ra0.2μm 以下（MIN 0.05μm）

• 介电率：8.2 以下

主要用途

1. 功率模块用散热绝缘基板

2. LED、LD 光电器件封装基板

3. SiC、GaN 第三代功率器件搭载基板

4. 高频通信设备、5G 基站模块基板

5. 半导体测试装置、各类传感器基板

6. 搭配 DPC、金属化工艺，用于高功率高密度功率模组开发