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硅基底CVD石墨烯膜

Si-G

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常州碳时代科技有限公司

江苏常州

产品规格型号
参考报价:

1万元以下

型号:

Si-G

关注度:

1997

创新点:

CVD工艺制备的石墨烯薄膜,单层率高,尺寸大

应用行业:

半导体行业,氮化镓的生长

典型用户:

微系统所,中兴

产品介绍


硅基底CVD石墨烯膜


联系电话:13685******,刘先生


硅片厚度:700微米

硅片表面氧化硅厚度:300nm

石墨烯层数:1层,2层,多层(可选)

石墨烯方阻:300-500(单层石墨烯)

石墨烯单层覆盖率:>95%



样品照片:


光学显微镜照片:

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Raman光谱

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参数价格:

量大可打折

QQ截图20200805154950.png


存储条件:

建议产品在常温下保存在干燥,低氧(无氧)的容器中,建议一个月内使用完.


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