粉体行业在线展览
粉体行业在线展览
4、6英寸低阻高掺p型碳化硅衬底
直接联系
杭州华创晶瑞科技有限公司
浙江
面议
华创晶瑞
4、6英寸低阻高掺p型碳化硅衬底
247
产品介绍
利用液相法生长的P型碳化硅衬底具有低电阻、高掺杂浓度、高品质等优势，能满足n沟道SiC IGBT、GTO等高压双极型器件的制备需求
主要指标
晶型：4H/6H-P型
尺寸：99.5~100 mm 145.5-150.0mm
厚度：350±25 μm
微管密度：＜0.1 cm-2
电阻率：0.06~0.11 Ω∙cm
表面粗糙度：Ra<0.2nm
4英寸导电型碳化硅衬底
6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底
碳化硅晶锭晶棒
8英寸导电型碳化硅衬底
2英寸导电型碳化硅衬底
4、6英寸低阻高掺p型碳化硅衬底
4~8英寸碳化硅外延
氮化镓衬底 外延
4英寸3C N型碳化硅衬底
7N 碳化硅粉料
碳化硅MOS SBD晶圆
2~6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底
