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碳化硅基氮化镓外延HEMT
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江阴晶沐光电新材料有限公司
江苏
面议
晶沐光电
1065
介绍:碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN-on-SiC HEMT)外延技术是在碳化硅(SiC)衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜,结合了GaN的高频高功率性能和SiC优异的导热性。
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应用:用于5G基站中的射频功率放大器;雷达系统;卫星通信系统中的高功率放大器、高效电源转换器、电动汽车充电器和工业电机驱动器;无线通信基站中的射频前端模块等。
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