化学气相沉积炉

设备概述：

化学气相沉积炉（CVD）是一种通过气相前驱体在高温下反应，在基体表面沉积固态薄膜（如SiC）的设备。用于制备高纯度、高性能的碳化硅涂层或体材料，广泛应用于半导体、核燃料包壳、航空航天等领域

应用场景：

半导体器件

SiC外延层（功率器件如MOSFET、二极管）

核工业

TRISO核燃料颗粒包覆（沉积热解碳+SiC多层结构）

耐磨涂层

航空发动机叶片表面SiC涂层（抗高温氧化）

技术特点：

采用等静压石墨（纯度＞99.999%），可多区独立控温；

全自动智能控制，多气氛精密调控系统使炉膛内沉积气流稳定，压力波动范围小；

加热方式：

感应加热（高频电源，5-50kHz）适合局部快速升温

电阻加热（等静压石墨发热体）均匀性更优

技术参数(可接受非标定制）