主要参数 Main Parameters

• **温度：2400℃  

• 温度均匀性：≤±5℃

• 泄露率（空炉、冷态、洁净）：≤1Pa/h

• 装料空间（卧式）：500*500*1800 mm、1000*1000*5200 mm

应用领域 Application fields

• 碳化硅陶瓷制品无压烧结和重结晶烧结

• IGBT功率半导体、新能源汽车、光伏发电、5G通讯、国防**通领域