一．仪器特点

该仪器利用美国进口的先进高精度激光源进行设计，利用激光干涉方法对 WAFER 的平整度进行测量。该机器可广泛适用于对如下材料的晶片平整度测量：碳化硅、砷化镓、氮化镓、钽酸锂/铌酸锂、蓝玻璃、硅、锗、蓝宝石、陶瓷、石英、手机面板玻璃等，材料可以是透明体或不透明体。

本机可以测量的重要参数包括：TTV、TIR、WARP、BOW、LFPD、TAPER、LTIR、LTV、PLTV、PLTIR、PLFPD、LTV(AVG)等共 12 个。

二、仪器性能及技术参数：。

2.1 适用范围

可用于测量工件尺寸为 Φ2---Φ8（INCH）直径的圆型晶片（方形晶片测量可以定制）

2.2 测量精度

重复性精度： 0.03μm 测量精度：0.075μm

分辨率： 0.005μm 像素点数： ≥250000

三、仪器外形参数及使用环境要求

3.1、激光干涉仪外形参数(参见图二)： 外形尺寸（高*宽*厚）：530*650*780(MM) 仪器重量：75KG

3.2 电器控制柜外形参数：

外形尺寸（高*宽*厚）：270*510*400（MM） 控制柜重量：15KG

3.3 环境要求：

电源：220V/50HZ/10A 功率：≦1.5KW

气源：使用超净工业压缩空气或氮气（Φ8mm 管径） 气压：≥0.5MPA

用气量：4M3/H