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全自动纳米压印光刻生产线
面议
天仁微纳
全自动纳米压印光刻生产线
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GL310 Cluster Gen2全自动纳米压印光刻生产线集成了从纳米压印晶圆预处理工艺,直至纳米压印光刻整套工艺步骤。标配天仁微纳CLIV(Contact Litho into Vacuum)压印技术,可实现200/300 mm晶圆及300x300mm/310x310 mm方形基底上全自动高精度(优于10 nm*)、高深宽比(优于10:1*)纳米结构复制量产。
设备采用模块化设计,用户可以根据工艺需求和生产节奏自由配置晶圆清洗、涂胶、烘烤、冷却、Plasma表面处理、AOI检测、Post Cure以及纳米压印的模块数量,达到**的生产效率。设备支持全自动工作模具复制、工作模具自动更换、自动预处理和自动对位、自动压印、自动脱模,全部工艺过程在密闭洁净环境中进行,以保证压印结果质量。GL310 Cluster Gen2纳米压印设备适用于DOE、AR/VR衍射光波导(包括斜齿光栅)、AR HUD、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED、微透镜阵列等应用领域的大规模量产。
主要功能
经过量产验证的全自动200/300 mm晶圆及300×300 mm方片、310×310 mm方片高精度、高深宽比结构纳米压印光刻生产线;
CLIV技术,确保压印结构精度与结构填充完整性;
Cassette to cassette自动上下片,光学巡边预对位;
设备内自动复制柔性复合工作模具,自动更换工作模具,适合连续生产;
全自动预处理流程,包括晶圆清洗、旋涂匀胶、烘烤、冷却、Plasma表面处理(选配)等;
全自动纳米压印光刻流程,包括自动对位、自动压印、自动曝光固化、自动脱模等;
全部工艺过程在密闭洁净环境中自动进行,以保证压印质量;
标配高功率紫外LED面光源(365 nm,光强>1000 mW/cm2),水冷冷却,特殊功率以及特殊、混合波长光源可订制,**支持各种商用纳米压印材料,可选配Post Cure功能;
适合DOE、AR/VR衍射光波导(包括斜齿光栅)、AR HUD、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED、微透镜阵列等应用领域的大规模量产;
随机提供全套纳米压印工艺与材料,包括DOE、AR斜齿光栅、高密度高深宽比结构等工艺流程,帮助客户零门槛达到国际**的纳米压印水平。
兼容基底尺寸 | 200mm(open cassette)/300 mm(FOUP)晶圆 300x300mm/310×310 mm(FOUP)方形基底 |
支持基底材料 | 硅片、玻璃、石英、塑料、金属等 |
上下片方式 | Cassette to cassette全自动上下片 |
晶圆预对位 | 光学巡边预对位 |
纳米压印技术 | 紫外纳米压印(UV-NIL),CLIV技术, 适合高精度、高深宽比纳米结构压印 |
压印精度 | 优于10 nm* |
结构深宽比 | 优于10 : 1* |
残余层控制 | 可小于10 nm* |
紫外固化光源 | 紫外LED(365 nm)面光源,光强>1000 mW/cm2(2000 mW/cm2可选),水冷冷却 |
设备内部环境控制 | 标配,外部环境Class 100,内部环境可达Class 10* |
自动压印 | 支持 |
自动脱模 | 支持 |
自动工作模具复制 | 支持 |
自动工作模具更换 | 支持 |
模具基底对位功能 | 自动对位(选配) |
Post Cure | 选配 |
AOI在线检测 | 选配 |
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